HT45F5Q-2A 是(shì)一(yī)款8 位(wèi)高(gāo)性(xìng)能(néng)精簡指令集的(de)A/D Flash 型单片(piàn)機(jī)，專門(mén)为電(diàn)池充電(diàn)器應(yìng)用(yòng)而(ér)設計(jì)。

在(zài)存储器特性(xìng)方(fāng)面(miàn)，Flash 存储器可(kě)多(duō)次(cì)編程的(de)特性(xìng)給(gěi)用(yòng)戶提(tí)供了(le)較大(dà)的(de)方(fāng)便。

除了(le)Flash 程序存储器，還(huán)包(bāo)含了(le)一(yī)个(gè)RAM數據(jù)存储器和一(yī)个(gè)可(kě)用(yòng)于(yú)存储序号(hào)、校(xiào)準數據(jù)等非(fēi)易失性(xìng)數據(jù)的(de)模拟EEPROM 存储器。

在(zài)模拟特性(xìng)方(fāng)面(miàn)，該单片(piàn)機(jī)包(bāo)含一(yī)个(gè)多(duō)通(tòng)道(dào)12 位(wèi)A/D 轉(zhuǎn)換器。還(huán)带(dài)有(yǒu)1 个(gè)使用(yòng)靈活的(de)定(dìng)时(shí)器模块(kuài)，可(kě)提(tí)供定(dìng)时(shí)功能(néng)、脈沖産生(shēng)功能(néng)及PWM 産生(shēng)功能(néng)。內(nèi)建UART 接口(kǒu)，为設計(jì)者(zhě)提(tí)供了(le)一(yī)个(gè)易與(yǔ)外(wài)部(bù)硬(yìng)件(jiàn)通(tòng)信(xìn)的(de)方(fāng)式。內(nèi)部(bù)看門(mén)狗定(dìng)时(shí)器和低(dī)電(diàn)壓複位(wèi)等內(nèi)部(bù)保護特性(xìng)，外(wài)加優秀的(de)抗干(gàn)擾和ESD 保護性(xìng)能(néng)，确保单片(piàn)機(jī)在(zài)惡劣的(de)電(diàn)磁干(gàn)擾环(huán)境下(xià)可(kě)靠地(dì)運行。

該单片(piàn)機(jī)提(tí)供了(le)內(nèi)部(bù)高(gāo)速和低(dī)速振蕩器功能(néng)選項，完全(quán)內(nèi)置的(de)两个(gè)系統振蕩器無需外(wài)接元(yuán)件(jiàn)。其(qí)在(zài)不(bù)同(tóng)工作(zuò)模式之(zhī)間(jiān)動(dòng)态切(qiè)換的(de)能(néng)力，为用(yòng)戶提(tí)供了(le)一(yī)个(gè)優化(huà)单片(piàn)機(jī)操作(zuò)和減少(shǎo)功耗的(de)手(shǒu)段(duàn)。

針(zhēn)对(duì)AC/DC 充電(diàn)器應(yìng)用(yòng)領域，該单片(piàn)機(jī)內(nèi)置電(diàn)池充電(diàn)管(guǎn)理模块(kuài)，用(yòng)于(yú)恒壓(CV)及恒流(CC) 死循环(huán)充電(diàn)控制，以(yǐ)取(qǔ)代(dài)傳統外(wài)接TL431、OPA 及電(diàn)阻模拟DAC等電(diàn)路(lù)，使外(wài)圍電(diàn)路(lù)更(gèng)精簡，從而(ér)节省(shěng)産品PCB 尺(chǐ)寸(cùn)。

充電(diàn)管(guǎn)理模块(kuài)由(yóu)二(èr)个(gè)部(bù)分(fēn)組成(chéng)，第(dì)一(yī)部(bù)分(fēn)为二(èr)組OPA 與(yǔ)DAC，用(yòng)于(yú)控制充電(diàn)電(diàn)壓及電(diàn)流，充電(diàn)器的(de)CV/CC 上(shàng)限值可(kě)由(yóu)软(ruǎn)件(jiàn)設置DAC 而(ér)得，CV 控制采用(yòng)其(qí)中(zhōng)的(de)12-bit DAC，而(ér)CC 控制則采用(yòng)14-bit DAC。第(dì)二(èr)部(bù)分(fēn)为一(yī)組固定(dìng)放(fàng)大(dà)倍數的(de)OPA，用(yòng)于(yú)電(diàn)流信(xìn)号(hào)放(fàng)大(dà)，可(kě)达(dá)到(dào)提(tí)升(shēng)電(diàn)流分(fēn)辨率並(bìng)降低(dī)检測電(diàn)阻功率的(de)功效。

充電(diàn)管(guǎn)理模块(kuài)中(zhōng)的(de)DAC，除了(le)用(yòng)于(yú)設置充電(diàn)器CV/CC 阈值外(wài)，亦可(kě)搭配産線(xiàn)治具，改良傳統生(shēng)産时(shí)的(de)人(rén)工校(xiào)準方(fāng)法(fǎ)，由(yóu)外(wài)部(bù)治具先(xiān)确認充電(diàn)器當前(qián)電(diàn)壓/ 電(diàn)流情(qíng)況，若發(fà)現(xiàn)超过(guò)誤差範圍，以(yǐ)微調DAC 方(fāng)式将誤差修正(zhèng)，並(bìng)将修正(zhèng)後(hòu)參數储存在(zài)模拟EEPROM 中(zhōng)，待充電(diàn)器重(zhòng)新(xīn)上(shàng)電(diàn)时(shí)，将賦予DAC 新(xīn)的(de)校(xiào)正(zhèng)值，以(yǐ)达(dá)到(dào)校(xiào)正(zhèng)目的(de)，更(gèng)詳细信(xìn)息可(kě)參考Holtek 网(wǎng)站應(yìng)用(yòng)笔(bǐ)記(jì)。

外(wài)加I/O 使用(yòng)靈活、时(shí)基功能(néng)等其(qí)它(tā)特性(xìng)，增強(qiáng)了(le)单片(piàn)機(jī)的(de)功能(néng)性(xìng)和靈活性(xìng)，使應(yìng)用(yòng)範圍更(gèng)加廣泛。

CPU 特性(xìng)

工作(zuò)電(diàn)壓：

♦ fSYS=8MHz：2.2V~5.5V

VDD=5V，系統时(shí)鐘(zhōng)为 8MHz时(shí)，指令周期(qī)为 0.5μs

提(tí)供暫停和喚醒功能(néng)，以(yǐ)降低(dī)功耗

振蕩器類(lèi)型：

♦ 內(nèi)部(bù)高(gāo)速 8MHz RC – HIRC

♦ 內(nèi)部(bù)低(dī)速 32kHz RC – LIRC

內(nèi)部(bù)集成(chéng)振蕩器，無需外(wài)接元(yuán)件(jiàn)

多(duō)種(zhǒng)工作(zuò)模式：快速模式、低(dī)速模式、空(kōng)閑模式和休眠模式

所(suǒ)有(yǒu)指令都可(kě)在(zài) 1 或(huò) 2 个(gè)指令周期(qī)內(nèi)完成(chéng)

查表(biǎo)指令

61 条(tiáo)功能(néng)強(qiáng)大(dà)的(de)指令系統

6 层堆(duī)棧

位(wèi)操作(zuò)指令

周邊(biān)特性(xìng)

Flash程序存储器：2K×15

RAM數據(jù)存储器：128×8

模拟 EEPROM存储器：32×15

看門(mén)狗定(dìng)时(shí)器

15 个(gè)双(shuāng)向(xiàng) I/O 口(kǒu)

1 个(gè)與(yǔ) I/O 複用(yòng)的(de)外(wài)部(bù)中(zhōng)斷輸入(rù)

1 个(gè)定(dìng)时(shí)器模块(kuài)用(yòng)于(yú)时(shí)間(jiān)測量(liàng)、比較匹(pǐ)配輸出及 PWM輸出

双(shuāng)时(shí)基功能(néng)，用(yòng)于(yú)産生(shēng)固定(dìng)时(shí)間(jiān)的(de)中(zhōng)斷信(xìn)号(hào)

1 个(gè)全(quán)双(shuāng)工 / 半双(shuāng)工通(tòng)用(yòng)异(yì)步通(tòng)信(xìn)接口(kǒu) – UART

7 个(gè)外(wài)部(bù)通(tòng)道(dào) 12-bit 分(fēn)辨率的(de)A/D轉(zhuǎn)換器

電(diàn)池充電(diàn)電(diàn)路(lù)

♦ 14-bit D/A 轉(zhuǎn)換器與(yǔ) OPA0 用(yòng)于(yú)恒流 (CC)控制

♦ 12-bit D/A 轉(zhuǎn)換器與(yǔ) OPA1 用(yòng)于(yú)恒壓 (CV) 控制

♦ 20 倍放(fàng)大(dà)倍數的(de) OPA2 用(yòng)于(yú)電(diàn)流检測

低(dī)電(diàn)壓複位(wèi)功能(néng)

封(fēng)裝(zhuāng)類(lèi)型：16/20-pin NSOP