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工廠(chǎng)地(dì)址：深圳市寶(bǎo)安(ān)區(qū)石(dàn)岩街道(dào)應(yìng)人(rén)石(dàn)社區(qū)天(tiān)寶(bǎo)路(lù)34号(hào)二(èr)樓北(běi)
肖特基二(èr)极(jí)管(guǎn)是(shì)以(yǐ)其(qí)發(fà)明人(rén)肖特基博士（Schottky）命名的(de)，SBD是(shì)肖特基勢壘二(èr)极(jí)管(guǎn)（SchottkyBarrierDiode,缩写(xiě)成(chéng)SBD）的(de)簡稱。SBD不(bù)是(shì)利用(yòng)P型半導體(tǐ)與(yǔ)N型半導體(tǐ)接觸形成(chéng)PN结原理制作(zuò)的(de)，而(ér)是(shì)利用(yòng)金(jīn)屬與(yǔ)半導體(tǐ)接觸形成(chéng)的(de)金(jīn)屬－半導體(tǐ)结原理制作(zuò)的(de)。因(yīn)此(cǐ)，SBD也(yě)稱为金(jīn)屬－半導體(tǐ)（接觸）二(èr)极(jí)管(guǎn)或(huò)表(biǎo)面(miàn)勢壘二(èr)极(jí)管(guǎn)，它(tā)是(shì)一(yī)種(zhǒng)热(rè)载(zài)流子二(èr)极(jí)管(guǎn)。
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