電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)發(fà)展(zhǎn)史其(qí)實(shí)就(jiù)是(shì)一(yī)部(bù)濃缩的(de)電(diàn)子發(fà)展(zhǎn)史。電(diàn)子技術(shù)是(shì)十(shí)九(jiǔ)世纪末(mò)、二(èr)十(shí)世纪初開(kāi)始(shǐ)發(fà)展(zhǎn)起(qǐ)来(lái)的(de)新(xīn)興技術(shù)，二(èr)十(shí)世纪發(fà)展(zhǎn)最(zuì)迅速，應(yìng)用(yòng)最(zuì)廣泛，成(chéng)为近(jìn)代(dài)科學(xué)技術(shù)發(fà)展(zhǎn)的(de)一(yī)个(gè)重(zhòng)要(yào)标(biāo)志。

第(dì)一(yī)代(dài)電(diàn)子産品以(yǐ)電(diàn)子管(guǎn)为核心(xīn)。四十(shí)年(nián)代(dài)末(mò)世界上(shàng)誕生(shēng)了(le)第(dì)一(yī)只(zhī)半導體(tǐ)三(sān)极(jí)管(guǎn)，它(tā)以(yǐ)小巧、輕(qīng)便、省(shěng)電(diàn)、寿命长(cháng)等特點(diǎn)，很快地(dì)被(bèi)各(gè)國(guó)應(yìng)用(yòng)起(qǐ)来(lái)，在(zài)很大(dà)範圍內(nèi)取(qǔ)代(dài)了(le)電(diàn)子管(guǎn)。五(wǔ)十(shí)年(nián)代(dài)末(mò)期(qī)，世界上(shàng)出現(xiàn)了(le)第(dì)一(yī)块(kuài)集成(chéng)電(diàn)路(lù)，它(tā)把(bǎ)許多(duō)晶體(tǐ)管(guǎn)等電(diàn)子元(yuán)件(jiàn)集成(chéng)在(zài)一(yī)块(kuài)矽芯片(piàn)上(shàng)，使電(diàn)子産品向(xiàng)更(gèng)小型化(huà)發(fà)展(zhǎn)。集成(chéng)電(diàn)路(lù)從小規模集成(chéng)電(diàn)路(lù)迅速發(fà)展(zhǎn)到(dào)大(dà)規模集成(chéng)電(diàn)路(lù)和超大(dà)規模集成(chéng)電(diàn)路(lù)，從而(ér)使電(diàn)子産品向(xiàng)着高(gāo)效能(néng)低(dī)消耗、高(gāo)精度(dù)、高(gāo)穩定(dìng)、智能(néng)化(huà)的(de)方(fāng)向(xiàng)發(fà)展(zhǎn)。由(yóu)于(yú)，電(diàn)子計(jì)算機(jī)發(fà)展(zhǎn)經(jīng)曆的(de)四个(gè)阶段(duàn)恰好(hǎo)能(néng)夠充分(fēn)说(shuō)明電(diàn)子技術(shù)發(fà)展(zhǎn)的(de)四个(gè)阶段(duàn)的(de)特性(xìng)，所(suǒ)以(yǐ)下(xià)面(miàn)就(jiù)從電(diàn)子計(jì)算機(jī)發(fà)展(zhǎn)的(de)四个(gè)时(shí)代(dài)来(lái)说(shuō)明電(diàn)子技術(shù)發(fà)展(zhǎn)的(de)四个(gè)阶段(duàn)的(de)特點(diǎn)。

在(zài)20世纪出現(xiàn)並(bìng)得到(dào)飛速發(fà)展(zhǎn)的(de)電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)工業使整个(gè)世界和人(rén)们(men)的(de)工作(zuò)、生(shēng)活習慣發(fà)生(shēng)了(le)翻天(tiān)覆地(dì)的(de)變(biàn)化(huà)。電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)的(de)發(fà)展(zhǎn)曆史實(shí)際上(shàng)就(jiù)是(shì)電(diàn)子工業的(de)發(fà)展(zhǎn)曆史。

1906年(nián)，李·德福雷(léi)斯特發(fà)明了(le)真(zhēn)空(kōng)三(sān)极(jí)管(guǎn)，用(yòng)来(lái)放(fàng)大(dà)電(diàn)話(huà)的(de)聲音(yīn)電(diàn)流。此(cǐ)後(hòu)，人(rén)们(men)強(qiáng)烈地(dì)期(qī)待着能(néng)夠誕生(shēng)一(yī)種(zhǒng)固體(tǐ)器件(jiàn)，用(yòng)来(lái)作(zuò)为質(zhì)量(liàng)輕(qīng)、價廉和寿命长(cháng)的(de)放(fàng)大(dà)器和電(diàn)子開(kāi)關(guān)。1947年(nián)，點(diǎn)接觸型鍺晶體(tǐ)管(guǎn)的(de)誕生(shēng)，在(zài)電(diàn)子器件(jiàn)的(de)發(fà)展(zhǎn)史上(shàng)翻開(kāi)了(le)新(xīn)的(de)一(yī)页(yè)。但是(shì)，这(zhè)種(zhǒng)點(diǎn)接觸型晶體(tǐ)管(guǎn)在(zài)構造上(shàng)存在(zài)着接觸點(diǎn)不(bù)穩定(dìng)的(de)致(zhì)命弱(ruò)點(diǎn)。在(zài)點(diǎn)接觸型晶體(tǐ)管(guǎn)開(kāi)發(fà)成(chéng)功的(de)同(tóng)时(shí)，结型晶體(tǐ)管(guǎn)論就(jiù)已經(jīng)提(tí)出，但是(shì)直(zhí)至(zhì)人(rén)们(men)能(néng)夠制備超高(gāo)純度(dù)的(de)单晶以(yǐ)及能(néng)夠任意(yì)控制晶體(tǐ)的(de)導電(diàn)類(lèi)型以(yǐ)後(hòu)，结型晶體(tǐ)管(guǎn)材真(zhēn)正(zhèng)得以(yǐ)出現(xiàn)。1950年(nián)，具有(yǒu)使用(yòng)價值的(de)最(zuì)早(zǎo)的(de)鍺合金(jīn)型晶體(tǐ)管(guǎn)誕生(shēng)。1954年(nián)，结型矽晶體(tǐ)管(guǎn)誕生(shēng)。此(cǐ)後(hòu)，人(rén)们(men)提(tí)出了(le)场效應(yìng)晶體(tǐ)管(guǎn)的(de)構想(xiǎng)。随着無缺陷结晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體(tǐ)外(wài)誕生(shēng)长(cháng)技術(shù)和擴散(sàn)摻雜技術(shù)、耐壓氧化(huà)膜的(de)制備技術(shù)、腐蚀和光(guāng)刻(kè)技術(shù)的(de)出現(xiàn)和發(fà)展(zhǎn)，各(gè)種(zhǒng)性(xìng)能(néng)優良的(de)電(diàn)子器件(jiàn)相繼出現(xiàn)，電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)逐步從真(zhēn)空(kōng)管(guǎn)时(shí)代(dài)進(jìn)入(rù)晶體(tǐ)管(guǎn)时(shí)代(dài)和大(dà)規模、超大(dà)規模集成(chéng)電(diàn)路(lù)时(shí)代(dài)。主播形成(chéng)作(zuò)为高(gāo)技術(shù)産業代(dài)表(biǎo)的(de)半導體(tǐ)工業。

由(yóu)于(yú)社会(huì)發(fà)展(zhǎn)的(de)需要(yào)，電(diàn)子裝(zhuāng)置變(biàn)的(de)越来(lái)越複雜，这(zhè)就(jiù)要(yào)求了(le)電(diàn)子裝(zhuāng)置必須具有(yǒu)可(kě)靠性(xìng)、速度(dù)快、消耗功率小以(yǐ)及質(zhì)量(liàng)輕(qīng)、小型化(huà)、成(chéng)本低(dī)等特點(diǎn)。自(zì)20世纪50年(nián)代(dài)提(tí)出集成(chéng)電(diàn)路(lù)的(de)設想(xiǎng)後(hòu)，由(yóu)于(yú)材料技術(shù)、器件(jiàn)技術(shù)和電(diàn)路(lù)設計(jì)等綜合技術(shù)的(de)進(jìn)步，在(zài)20世纪60年(nián)代(dài)研制成(chéng)功了(le)第(dì)一(yī)代(dài)集成(chéng)電(diàn)路(lù)。在(zài)半導體(tǐ)發(fà)展(zhǎn)史上(shàng)。集成(chéng)電(diàn)路(lù)的(de)出現(xiàn)具有(yǒu)劃(huà)时(shí)代(dài)的(de)意(yì)義：它(tā)的(de)誕生(shēng)和發(fà)展(zhǎn)推動(dòng)了(le)铜(tóng)芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的(de)進(jìn)步，使科學(xué)研究的(de)各(gè)个(gè)領域以(yǐ)及工業社会(huì)的(de)结構發(fà)生(shēng)了(le)曆史性(xìng)變(biàn)革(gé)。憑借(jiè)卓越的(de)科學(xué)技術(shù)所(suǒ)發(fà)明的(de)集成(chéng)電(diàn)路(lù)使研究者(zhě)有(yǒu)了(le)更(gèng)先(xiān)進(jìn)的(de)工具，進(jìn)而(ér)産生(shēng)了(le)許多(duō)更(gèng)为先(xiān)進(jìn)的(de)技術(shù)。这(zhè)些(xiē)先(xiān)進(jìn)的(de)技術(shù)有(yǒu)進(jìn)一(yī)步促使更(gèng)高(gāo)性(xìng)能(néng)、更(gèng)廉價的(de)集成(chéng)電(diàn)路(lù)的(de)出現(xiàn)。对(duì)電(diàn)子器件(jiàn)来(lái)说(shuō)，體(tǐ)积越小，集成(chéng)度(dù)越高(gāo)；響應(yìng)时(shí)間(jiān)越短(duǎn)，計(jì)算處(chù)理的(de)速度(dù)就(jiù)越快；傳送頻率就(jiù)越高(gāo)，傳送的(de)信(xìn)息量(liàng)就(jiù)越大(dà)。半導體(tǐ)工業和半導體(tǐ)技術(shù)被(bèi)稱为現(xiàn)代(dài)工業的(de)基礎，同(tóng)时(shí)也(yě)已經(jīng)發(fà)展(zhǎn)稱为一(yī)个(gè)相对(duì)獨立的(de)高(gāo)科技産業。